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整个曝光过程无声无息，无任何肉眼可见光影，却在微观尺度完成了千亿级电晶体电路的精准刻画。
单次曝光结束，机台自动完成移片、对焦、二次校准，开启多重曝光叠加工艺，完美適配1nm製程的图形拼接需求。
三分钟后，首批测试晶圆曝光工序全部完成，设备自动卸载晶圆，送入后端在线检测工位。
缺陷检测机和线宽量测机瞬间启动扫描，海量微观成像数据快速刷新在大屏之上。
当最终检测结果跳出的那一刻，团队成员呼吸同时停滯。
大屏幕上清晰显示——
实测线宽：1.02nm
套刻精度：1.18nm
边缘粗糙度：≤0.45nm
微观缺陷数：0
轰！
！
！
团队瞬间炸了！
！
！
“神吶！
所有核心参数全部达到甚至超越国际商用1nm製程標准！
！”
“苏总研发的国產highnaeuv光刻机竟然成功了！
！
！”
“omg！
太不可思议了吧！
！
谁能掐我一下！
我不是在做梦吧？！
！”
不是……
成功了？
安若素和安无恙两位门外汉相视一眼，对於不懂的人来说，连是否成功都无法分辨。
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